2차 전지용 분리막

진공 상태에서 Rf 및 DC power 에 의해 형성된 플라즈마 내의 높은 에너지를 갖고 있는 

가스 이온이 Target 표면과 충돌하여, 증착하고자 하는 Target 입자들이 튀어나와 

기판에 증착되는 공정입니다. 일반적으로 음극 표면에 증착시킬 Target 물질을 증착하고, 

증착 물질의 특성에 영향을 주지 않는 He, Ar과 같은 불활성 기체를 이용하여 

양극에 놓여진 기판 위에 튀어나온 Target 물질이 증착되는것을 말합니다.